что такое вах р-н перехода

 

 

 

 

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. При прямом смещении потенциальный барьер понижается и через него перемещаются основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными. В результате контактная разность потенциалов увеличивается, потенциальный барьер повышается, ток основных носителей заряда через переход уменьшается. 1.5. Вольт амперная характеристика (ВАХ) идеализированного p-n — перехода. Прямое включение p-n перехода. Если подключить положительный полюс внешнего источника ЭДС к р-слою, а отрицательный — к n-слою то потенциальный барьер снижается на величину приложенного напряжения (рис. 1. 1,6) В реальных диодах rд > 1 МОм. Реальный обратный ток р-n-перехода может значительно превышать величину JS. Причина этому генерация электронно-дырочных пар в области обратно смещенного перехода. ВАХ p-n перехода описывается аналитической функцией: где. U — приложенное к переходу внешнее напряжение соответствующего знака Iо Iт — обратный (тепловой) ток р-п перехода (p-n) переход. ВАХ (p-n) перехода. Свойства p-n-перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Реальный p-n переход. При выводе уравнения ВАХ идеального p-n перехода учитывались лишь самые главные физические эффекты: инжекция иВ реальных p-n переходах наблюдаются и другие физические эффекты, влияющие на ход ВАХ.

Прямая ветвь вах реального p-n перехода. ВОПРОС 9. Рисунок 12 ВАХ p-n перехода. 1 прямая ветвь 2 обратная ветвь при лавинном пробое 3 обратная ветвь при тепловом пробое 4 обратная ветвь приНа практике ток прямой много меньше тока прямого теоретического.

ВАХ перехода металл-полупроводник. Если прямую и обратную ветвь построить в одном масштабе, то ВАХ p n- перехода имеет вид, как показано на рис. 1.13, б, из которого четко видно, что p n- переход обладает односторонней проводимостью, т.е. Iпр >> Iобр или Rпр << Rобр. При выводе уравнения ВАХ идеализированного р-n-перехода сопротивлением р- и n-областей пренебрегали (третье допущение).Кроме того, крутизна обратной ветви ВАХ перехода с туннельным пробоем меньше, чем при лавинном пробое. Токи в несимметричном p-n nереходе при прямом смещении. Таким образом, ВАХ p-n перехода имеет видВАХ p-n перехода, описываемая соотношением (2.62), приведена на рисунке 2.17. Обратная ветвь ВАХ р-п перехода определяется обратным током, который, как отмечалось выше, обычно довольно сильно возрастает при повышении температуры. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения и описывается выражением Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. Это есть некоторые параметры полупроводникового прибора.Вах - междометие в грузинском, передающее удивление. ВАХ представляет собой зависимость тока во внешней цепи p-n перехода от значения и полярности прикладываемого к нему напряжения. Для идеального р-п перехода ВАХ описывается следующей зависимостью Прямая ветвь ВАХ диода отличается от идеальной из-за рекомбинации электронов и дырок в pn-переходе, падения напряжения на базе. Уравнение ВАХ pn-перехода с учетом падения напряжения на базе имеет вид. P-N переход — точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал P-типа соприкасаются друг с другом. Материал N-типа обычно упоминается как катодная часть полупроводника, а материал P-типа — как анодная часть. Рисунок 16 ВАХ р-n перехода.II При обратном включении р-n перехода Iобр незначительно увеличивается и затем с увеличением Uобр остается практически неизменным из-за большого потенциального барьера. Рис. 3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р — п-переходаВ первой из них статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) переходов представлены экспоненциальными функциями напряжений на переходах, а инерционные свой- [c.56]. Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р -n-перехода. Определяющее свойство р-n-перехода — его односторонняя проводимость. Вольтамперная характеристика (ВАХ) р-n перехода представляет собой зависимость тока через переход от величины и полярности приложенного напряжения. Аналитически ВАХ представляется экспоненциальной зависимостью. ВАХ изменяется с изменением температуры p-n-перехода. Зависимость от температуры обратной ветви ВАХ определяется температурными изменениями тока I0. Если направление внешнего электрического поля противоположно направлению поля p-n перехода («» на p-области, «-» на n-области), то потенциальный барьерОсновной характеристикой полупроводниковых диодов является вольт-амперная характеристика ( ВАХ). P - n-ПЕРЕХОД - ( электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной ( n -область) и дырочной ( р -область) проводимостью.

На прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода оказывают влияние: материал полупроводника, используемый для изготовления p-n перехода сопротивление базы p-n перехода температура окружающей среды. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения и описывается выражением ВАХ диода - ВАХ p-n-перехода. ВАХ (см. рис.) имеет прямую и обратную ветви. Ток и напряжение диод однозначно связаны вольт-амперной характеристикой. На прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода оказывают влияние: материал полупроводника, используемый для изготовления p-n перехода сопротивление базы p-n перехода температура окружающей среды. Таким образом, через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном током дрейфа неосновных носителей.Реальная ВАХ p-n-перехода. Туннельный пробой. Токи в несимметричном p-n nереходе при прямом смещении. Таким образом, ВАХ p-n перехода имеет видВАХ p-n перехода, описываемая соотношением (2.62), приведена на рисунке 2.17. ВАХ кремниевого и германиевого p-n-переходов при прямом включении. Экспоненциальный характер анодного тока на прямой ветви ВАХ определяется экспоненциальным характеромПриведенной на рис. 22 ВАХ p-n-перехода соответствует ее запись в аналитическом виде ВАХ р-n перехода. Дата добавления: 2015-07-23 просмотров: 3449 Нарушение авторских прав.Если прямую и обратную ветви строить в одном масштабе, то ВАХ p-n - перехода имеет вид, как показано на рис.1.3,б. Из рисунка четко видно, что p-n - переход обладает Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения и описывается выражением p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной ( p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Обратное включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения Uобр положительным потенциалом к области n, отрицательным - к области р (рис.2.3.). Внутреннее и внешнее электрические поля направлены в одну сторону ВАХ перехода получается нелинейной, а главное несимметричной: в одну сторону переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо. Можно дать и простое, наглядное объяснение таких сильных отличий проводимости перехода в разных направлениях. Для аналитического расчета ВАХ pn-перехода примем следующие допущения: 1. Модель электронно-дырочного перехода одномерная p- и n-области имеют бесконечную протяженность. Свойства электронно-дырочного перехода наглядно иллюстрируются его вольт-амперной характеристикой (рис. 18, а), показывающей зависимость тока через p-n--переход от величины и полярности приложенного напряжения. Определим выражение вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n перехода. Ток через p-n-переход состоит из электронного и дырочного токов, которые на его границах равныОбъясните вывод ВАХ идеализированного p-n-перехода. Таким образом, была получена ВАХ идеального p-n перехода, поведение которой несколько отличается от ВАХ p-n перехода реального. На рис. 1 в первом квадранте показана вольтамперная характеристика (ВАХ) р-n перехода при прямом смещении. На участке OA преодолевается потенциальный барьер и ток мал, на участке АВ ток резко увеличивается Описаны основные процессы, происходящие в р-н переходе.Из (9) видно, что ВАХ освещенного р-n-перехода (кривая 1 на рис. 6) получается сдвигом кривой 2 для неосвещенного перехода вниз на значение Is. Вольтамперная характеристика р-n перехода. Рубрика (тематическая категория). Радио. К основным свойствам р-n перехода относятсяВольтамперной характеристикой (ВАХ) принято называть графически выраженная зависимость величины протекающего через р-nпереход тока В реальных р-n-переходах омическое сопротивление базы не равно нулю. В этом случае прямое напряжение , тогда ВАХ прямой ветви пойдет положе, и будетВиды пробоев П-Н переходов. Существует три разновидности пробоев р-n- перехода: туннельный, лавинный, тепловой. ВАХ представляет собой зависимость тока во внешней цепи p-n перехода от значения и полярности прикладываемого к нему напряжения. Для идеального p-n перехода ВАХ описывается следующей зависимостью (пунктирная кривая на рис.2) Формула (2.7) удовлетворительно описывает ВАХ p-n перехода и характеристики диода при малых токах, когда падение напряжения на прилегающих к переходу областях значительно меньше, чем падение напряжения на самом переходе. Из изложенного очевидно, что анализировать количественно ВАХ перехода задача крайне сложная. Поэтому обычно изучают все процессы в отдельности, считая, что результирующая ВАХ это некоторая комбинация результатов полученных при учете каждого фактора. Принято считать приложенное напряжение V при обратном смещении отрицательным, а вольт-амперную характеристику p-n-перехода называют обратной ветвью ВАХ. Свойство односторонней проводимости р-n перехода рассмотрим на вольтамперной характеристике. Вольтамперной характеристикой ( ВАХ) называется графически выраженная зависимость величины протекающего через В реальных переходах Iобр заметно зависит от Uобр, и в кремниевых переходах Iобр в 1001000 раз больше теплового тока.Сравнение ВАХ реальных Ge и Si переходов. Мкости p-n перехода.

Записи по теме: